一种基于MEMS的惯性传感器生产及晶圆级封装工艺

摘要

本发明公开了一种基于MEMS的惯性传感器生产及晶圆级封装工艺，其步骤如下：1）工程化的绝缘硅（E-SOI）形成;2）在MEMS晶圆上面加工；3）在标准ASIC带工厂生产ASIC晶圆；4）MEMS晶圆和ASIC晶圆金属共熔键合；5）晶圆级芯片规模封装(WLCSP)。本发明做到ASIC芯片面积与MEMS芯片面积完全相同，充分利用MEMS芯片以及ASIC芯片的有效面积，为MEMS和ASIC芯片设计提供最有效的空间。晶圆级芯片规模封装省掉了芯片后续的封装工序。直接通过BGA完成终端电路板的贴片(Flip-Chip)，大幅度缩小芯片尺寸以及降低生产成本。