首页> 中国专利> 类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法

类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法

摘要

一种纳米材料制备技术领域的类石墨烯结构铜铟硫纳米片阵列薄膜的制备方法,所用的铜源一价铜盐,铟源为氯化铟,硫源为硫粉和硫脲,采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米薄膜。将铜源、铟源溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中,再加入氨水调节pH,加入摩尔比为2:1硫粉/硫脲的硫源后,再加入水合联氨溶液,最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入,得到CuInS2前体反应液。将反应液并加入反应釜,再插入玻璃片,进行溶剂热原位反应,即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单,成本低,阵列均一,纳米片厚度为2~8nm,为铜铟硫在太阳能电池、光催化等新能源领域的应用提供一种有效的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103819099A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201410098261.1

  • 发明设计人 毕恩兵;陈汉;韩礼元;

    申请日2014-03-17

  • 分类号C03C17/22(20060101);C23C26/00(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王毓理;王锡麟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2024-02-19 23:23:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C17/22 申请公布日:20140528 申请日:20140317

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-06-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C03C17/22 申请日:20140317

    实质审查的生效

  • 2014-05-28

    公开

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