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刘红娟; 汪雷; 杨德仁; 杨华; 王子奇;
浙江大学材料科学与工程学系;
硅材料国家重点实验室;
杭州310027;
CIS薄膜; 一步电沉积; Cu/In比; 退火;
机译:一步法电沉积工艺制备铜铟二硒化物(CuInSe2,CIS)薄膜
机译:酸性条件下作为Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池前体层的铜铟镓合金一步电沉积的电化学研究
机译:室温下通过脉冲激光沉积法沉积的铜基硫族化物薄膜的电学和光学特性:面向可在室温下制备的p沟道薄膜晶体管
机译:金属氯化物前体化学气相沉积法制备的铜铟镓硫薄膜的沉积与表征
机译:电沉积铜硒化铟和硒化铜(铟,镓)薄膜的合成与表征。
机译:一步制备铜纳米柱阵列填充脉冲电沉积AAO薄膜用于各向异性导热互连器
机译:用恒电位电沉积法制备稳定的中性铜双二硫杂环戊烯薄膜
机译:三(N,N-二苄基二硫代氨基甲酸)铟(III)的合成,表征及分解研究:铜膜上多晶CuIns2的化学喷雾沉积
机译:电沉积制备铜-铟-镓-二硒化物前体薄膜以制造高效太阳能电池
机译:----一种铜铟镓硫硫硒薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法
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