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薄膜晶体管及用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶

摘要

提供了一种薄膜晶体管以及一种用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶。薄膜晶体管包括金属电极和阻挡物质从金属电极扩散出来的氧化锌基阻挡膜。氧化锌基阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成,氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成,氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基溅射靶的1%到50%。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/786 申请公布日:20140122 申请日:20130701

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-10-29

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/786 变更前: 变更后: 登记生效日:20141009 申请日:20130701

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-02-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20130701

    实质审查的生效

  • 2014-01-22

    公开

    公开

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