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一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法

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摘要

本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。本发明采用C

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-11-09

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20140212 申请日:20131107

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-06-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20131107

实质审查的生效
2014-02-12

公开

公开

1. 一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN103579102A . 2014-02-12
2. 一种具有优异综合力学性能的WC-Co-Y₂O₃硬质合金及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111057928B . 2021.04.02
3. Composition Methods of Forming Low-Permittivity Film from the Composition Low-Permittivity Film and Electronic Part Having the Low-Permittivity Film [P] . 韩国专利： KR20020031195A . 2002-04-26

机译：由组成低介电常数薄膜和具有该低介电常数薄膜的电子零件形成低介电常数薄膜的组成方法
4. COATING LIQUID FOR FORMING SILICA-BASED FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT AND SUBSTRATE HAVING FILM OF LOW DIELECTRIC CONSTANT COATED THEREON [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0992556B1 . 2012-05-09

机译：用于形成具有低介电常数的二氧化硅基薄膜的涂料液，以及具有低介电常数的被覆薄膜的基材的涂料液
5. COMPOSITIONS FOR FORMING FILM, INSULATING FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT, METHOD FOR FORMING INSULATING FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS [P] . 日本专利： JP2008201833A . 2008-09-04

机译：用于形成薄膜，绝缘具有低介电常数的薄膜的组合物，用于形成绝缘膜具有低介电常数的方法以及半导体装置