第一部分溶胶-胶法制备低介电常数掺氟SiO2薄膜
摘要
Abstract
1.引言
1.1. 综述
1.2. 物质的极化
1 3. 降低介电常数的途径
1.4. 亟待需解决的问题
2.溶胶-凝胶法制备低介电常数S的2介质膜的特性研究
2.1. 溶胶-凝胶法制备低介电常数SiQ的方法和原理
2.2. 提拉速度和成膜厚度的关系
2.3. 退火温度和退火时间对薄膜介电常数的影响
2.4. 介电常数和外电场频率的关系
3.溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化硅(SiOF)薄膜及其特性研究
3.1. 掺氟对二氧化硅介电常数降低的机理
3.2. SiOF的制备及其介电性能的测量
3.3. 掺氟量和SiOF介电常数的关系
3.4. SiOF的二次离子质谱(SIMS)分析
3.5. SiOF交流特性分析
3.6. SiOF的AFM图谱
[参考文献]
第二部分二氧化钛薄膜及杀菌陶瓷的制备和特性研究
摘要
Abstract
1.引言
1.1. 综述
1.2.TiO2晶体结构
1.3.TiO2光致机理
1.4. 锐钛矿(anatase)与金红石(rutile)之比较
1.5.TiO2光致特性的应用
1.6. 前景展望
2.溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜及其特性研究
2.1.溶胶-凝胶法简介
2.2.纳米TiO2薄膜的制备
2.3.薄膜的光致特性研究
2.4. 结论
3.锐钛矿浆料制备杀菌陶瓷及其特性研究
3.1.杀菌陶瓷简介
3.2. 低温釉TiO2杀菌陶瓷的制备极其特性
3.3. 硅胶作为黏结剂TiO2薄膜的制备及其特性研究
4.TiO2/SiO2复合膜杀菌陶瓷特性研究
4.1.SiO2/TiO2复合膜溶胶的配置及制备
4.2. Si/Ti比对薄膜性质的影响
4.3. 退火温度对薄膜性质的影响
4.4. 薄膜厚度对光致性能的影响
4.5.光催化性能测试
[参考文献]
致谢
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