Ⅰ.溶胶-凝胶法制备低介电常数掺氟sio薄膜 Ⅱ.二氧化钛薄膜及杀菌陶瓷的制备和特性研究

摘要

该文分两部分：第一部分：溶胶-凝胶法制备低介电常数掺氟SiO<,2>薄膜：这一部分先研究了以正硅酸乙酯为前驱物利用溶胶-凝胶法制备纯SiO<,2>介电薄膜;探讨了溶胶配比包括水的比例以及pH值对制备薄膜水解缩聚及凝胶化的影响,测量了溶胶-凝胶法制备SiO<,2>薄膜中提拉速度和薄膜厚度的关系,研究了退火时间和退火温度对SiO<,2>薄膜介电性能的影响,并测量了外电场频率和薄膜介电常数的关系.然后将自行合成的含氟有机物多氟代季戊四芳醚（Tetraplyflluoroaryl Ether,简单COF1）掺入SiO<,2>溶胶,制备了掺氟二氧化硅（SiOF）薄膜,讨论了掺杂氟元素降低介电常数的机理,测量掺氟量和SiOF薄膜介电性能的关系,对SiOF薄膜进行了二次离子质谱（SIMS）分析和交流特性测试,并对薄膜表面形貌进行原子力显微镜（AFM）的表征扫描.第二部分：二氧化钛薄膜及杀菌陶瓷的的制备和特性研究：这一部分研究了溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛薄膜、锐钛矿浆料制备二氧化钛杀菌陶瓷以及用溶胶-凝胶法制备TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜杀菌陶瓷.第一章对二氧化钛的晶型、机理、应用及仍存在的问题进行了概述;第二章研究了溶胶-凝胶法制备光致SiO<,2>薄膜,探讨溶胶配比及工艺对光致SiO<,2>薄膜的性能影响;第三章研究了利用锐钛矿型二氧化钛浆料及无机黏结剂如低温釉和硅胶制备杀菌陶瓷,分别探讨了退火温度、黏结剂与锐钛矿浆料比例等条件对薄膜性能的影响,测试了薄膜对洗涤剂、腐蚀剂和消毒剂的抵抗能力,并用沸水蒸煮对薄膜同基底结合牢度进行了测试;第四章研究了利用溶胶-凝胶法制备TiO<,2>/SiO<,2>复合薄膜,研究了溶胶配比、退火温度、退火时间以及薄膜厚度对薄膜光致特性的影响,测量了薄膜分解亚甲基蓝的吸收度曲线,并与锐钛矿浆料方法制备的杀菌陶瓷进行了亚甲基蓝分解比较.

目录

第一部分溶胶-胶法制备低介电常数掺氟SiO2薄膜

摘要

Abstract

1.引言

1.1. 综述

1.2. 物质的极化

1 3. 降低介电常数的途径

1.4. 亟待需解决的问题

2.溶胶-凝胶法制备低介电常数S的2介质膜的特性研究

2.1. 溶胶-凝胶法制备低介电常数SiQ的方法和原理

2.2. 提拉速度和成膜厚度的关系

2.3. 退火温度和退火时间对薄膜介电常数的影响

2.4. 介电常数和外电场频率的关系

3.溶胶-凝胶法制备掺氟二氧化硅(SiOF)薄膜及其特性研究

3.1. 掺氟对二氧化硅介电常数降低的机理

3.2. SiOF的制备及其介电性能的测量

3.3. 掺氟量和SiOF介电常数的关系

3.4. SiOF的二次离子质谱(SIMS)分析

3.5. SiOF交流特性分析

3.6. SiOF的AFM图谱

[参考文献]

第二部分二氧化钛薄膜及杀菌陶瓷的制备和特性研究

摘要

Abstract

1.引言

1.1. 综述

1.2.TiO2晶体结构

1.3.TiO2光致机理

1.4. 锐钛矿(anatase)与金红石(rutile)之比较

1.5.TiO2光致特性的应用

1.6. 前景展望

2.溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜及其特性研究

2.1.溶胶-凝胶法简介

2.2.纳米TiO2薄膜的制备

2.3.薄膜的光致特性研究

2.4. 结论

3.锐钛矿浆料制备杀菌陶瓷及其特性研究

3.1.杀菌陶瓷简介

3.2. 低温釉TiO2杀菌陶瓷的制备极其特性

3.3. 硅胶作为黏结剂TiO2薄膜的制备及其特性研究

4.TiO2/SiO2复合膜杀菌陶瓷特性研究

4.1.SiO2/TiO2复合膜溶胶的配置及制备

4.2. Si/Ti比对薄膜性质的影响

4.3. 退火温度对薄膜性质的影响

4.4. 薄膜厚度对光致性能的影响

4.5.光催化性能测试

[参考文献]

致谢

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