首页> 中国专利> 用于更新无源可变电阻式存储器中的数据的方法和装置

用于更新无源可变电阻式存储器中的数据的方法和装置

摘要

提供了用于更新无源可变电阻式存储器(PVRM)中的数据的方法和装置。在一个实例中,公开了用于更新被存储在PVRM中的数据的方法。所述方法包括在没有使存储器块无效的情况下,更新高速缓存层次结构中多个存储器块的存储器块。所述更新后的存储器块可以被从所述高速缓存层次结构复制到直写缓冲器。此外,所述方法包括将所述更新后的存储器块写入到所述PVRM,从而更新所述PVRM中的数据。

著录项

  • 公开/公告号CN103460198A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 超威半导体公司;

    申请/专利号CN201280015516.2

  • 发明设计人 布拉德·贝克曼;莉萨·徐;

    申请日2012-04-04

  • 分类号G06F12/08;

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2024-02-19 22:44:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-31

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F12/08 申请公布日:20131218 申请日:20120404

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/08 申请日:20120404

    实质审查的生效

  • 2013-12-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号