一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法

摘要

本发明涉及一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法，其是在经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片上表面依次镀一层折射率为2.10～2.15的高折射率氮化硅减反射膜、一层折射率为2.25～2.30的高折射率氮化硅减反射膜和再一层折射率为2.00～2.05的低折射率减反射膜而获得由三层氮化硅减反射膜组成的高折射率氮化硅减反射膜，其折射率为2.12～2.16。本发明制作的高折射率减反射膜，能满足电池组件抗PID的要求；而且，与传统高折射率减反射膜工艺相比，成品转换率提升0.05%以上，成品开路电压提升1mV，短路电流提升30mA左右。