一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法

摘要

本发明涉及半导体材料外延生长领域，公开了一种用于制备GaN异质结场效应晶体管的外延结构及生长方法。其外延结构由下至上依次包括衬底、应力缓冲层、高阻GaN外延层、新型插入层、非掺杂GaN沟道层和异质结势垒层，新型插入层包括一层P型掺杂GaN插入层和一层N型掺杂GaN插入层。本发明材料结构直接采用一层P型掺杂GaN和一层N型掺杂GaN组成的掺入层作为新型插入层，实现了一种用于制备高迁移率，低关态漏电流，超高开关比的GaN异质结场效应晶体管器件的新型外延结构。