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CMOS工艺中的RF开关实现方式

摘要

一种用于在至少四个状态之间切换的双极双通开关(100)。该开关包含诸如N沟道金属氧化物半导体晶体管的四个晶体管(120、124、128、132),使得在每个状态,至多一个晶体管处于“导通”状态,且其他晶体管处于“截止”状态。每个晶体管(120、124、128、132)具有其自己的控制电路,该控制电路向晶体管的漏极提供零或负电压,向晶体管的源极提供正电压,且向晶体管的栅极提供交流电压。开关(100)可以针对设备片上使用。这种设备可以包括基站或无绳电话的手持机。

著录项

  • 公开/公告号CN103201954A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DSP集团有限公司;

    申请/专利号CN201080069202.1

  • 发明设计人 Y·哈森;A·莫斯托夫;

    申请日2010-09-21

  • 分类号H03K17/693;H04B1/48;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光

  • 地址 以色列赫尔泽利亚

  • 入库时间 2024-02-19 19:50:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03K17/693 申请公布日:20130710 申请日:20100921

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/693 申请日:20100921

    实质审查的生效

  • 2013-07-10

    公开

    公开

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