一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法

摘要

一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法，包括：步骤S1：进行阱注入形成N/P阱；步骤S2：在氘氛围中进行N/P阱退火；步骤S3：生长栅极绝缘氧化层；步骤S4：淀积多晶硅栅极；步骤S5：刻蚀多晶硅栅极形成栅极；步骤S6：在栅极两侧形成第一侧壁；步骤S7：半导体衬底中进行轻掺杂注入以形成轻掺杂源漏结构；步骤S8：进行源漏注入以形成源漏极；步骤S9：制造金属前介质、通孔、金属插塞和金属层。本发明所述提高CMOS器件载流子迁移率的方法通过在N/P阱形成之后，在栅极绝缘氧化层生成之前对所述半导体衬底进行氘氛围下退火，不仅使得所述半导体衬底表面平滑，且所述半导体衬底表面氧化反应进行稳定；同时，在所述退火过程中也激活所述N/P阱中的注入离子，进而提高CMOS载流子迁移率。