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使用低压外延硅以实现低漏极源极导通电阻(RDSON)的场效晶体管

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摘要

一种用于在衬底(100)上形成外延层(110)的方法可具有以下步骤：形成重度掺杂的硅衬底；在次大气压下在所述重度掺杂的硅衬底上沉积外延层；以及通过离子植入将掺杂剂植入至所述外延层中以形成轻微掺杂的外延层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-20

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20130807 申请日:20111121

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-12-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20111121

实质审查的生效
2013-08-07

公开

公开

1. 使用低压外延硅以实现低漏极源极导通电阻(RDSON)的场效晶体管 [P] . 中国专利： CN103238207A . 2013-08-07
2. 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法 [P] . 中国专利： CN101199037A . 2008-06-11
3. Method of fabricating asymmetric source/drain transistor employing a selective epitaxial growth layer and asymmetric source/drain transistor fabricated thereby [P] . 韩国专利： KR100549005B1 . 2006-02-02

机译：使用选择性外延生长层的不对称源极/漏极晶体管的制造方法以及由此制造的不对称源极/漏极晶体管
4. Silicide for achieving low sheet resistance on poly-Si and low Si consumption in source/drain [P] . 美国专利： US5889331A . 1999-03-30

机译：用于在多晶硅上实现低薄层电阻和在源极/漏极中实现低Si消耗的硅化物
5. Thin film transistors with epitaxial source/drain and drain field relief [P] . 美国专利： US10608111B2 . 2020-03-31

机译：具有外延源极/漏极和漏极场释放的薄膜晶体管