公开/公告号CN103177940A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;
申请/专利号CN201110442724.8
申请日2011-12-26
分类号H01L21/223;H01L21/20;
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人刘昌荣
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2024-02-19 19:28:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-13
授权
授权
2014-02-05
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/223 变更前: 变更后: 登记生效日:20140110 申请日:20111226
专利申请权、专利权的转移
2013-07-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/223 申请日:20111226
实质审查的生效
2013-06-26
公开
公开
机译: 具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
机译: 沉积碳和氮掺杂的多晶硅膜,并阻止硼扩散和改善的多晶硅耗尽
机译: 沉积碳和氮掺杂的多晶硅膜,并阻止硼扩散和改善的多晶硅耗尽