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一种高密度蚀刻引线框架FCAAQFN封装件及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种高密度蚀刻引线框架FCAAQFN封装件及其制作工艺,所述封装件主要由选镀层、芯片、凸点、DAF膜、金线、塑封体、腐蚀减薄后铜框架、光致抗蚀涂覆材料、腐蚀后引脚、绿漆和锡球组成;所述制作工艺按照以下步骤进行:晶圆减薄、晶圆划片、铜框架蚀刻、选镀、倒装上芯、回流、清洗、二次上芯、烘烤、打线、塑封、后固化、框架蚀刻减薄、显影图形、框架腐蚀、涂绿漆、植球。本发明具有满足高密度、高性能、多功能及高I/O数封装要求的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN103094240A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华天科技(西安)有限公司;

    申请/专利号CN201210542560.0

  • 申请日2012-12-15

  • 分类号H01L23/495;H01L23/49;H01L21/48;H01L21/60;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 710018 陕西省西安市经济技术开发区凤城五路105号

  • 入库时间 2024-02-19 19:15:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/495 申请公布日:20130508 申请日:20121215

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/495 申请日:20121215

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    公开

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