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一种测量和表征MOS晶体管器件失配特性的方法及系统

摘要

本发明公开了一种测量和表征MOS器件失配特性的系统及方法,用于测量和表征MOS器件阵列中各尺寸MOS器件的失配特性。所述系统包括MOS器件阵列模块,地址模块、测试模块、计算转换模块、控制模块等,可计算得到MOS器件阵列中相同尺寸的MOS器件的电学参数的标准偏差,用以表征所述MOS器件阵列中该尺寸MOS器件的失配特性。本发明充分利用MOS器件阵列结构真正实现了在有限的局部区域内表征相同尺寸的器件之间的失配特性,而且利用地址译码电路极大地减少了测试所需的引脚数目,节省了测试芯片的面积,更无需进行大量计算,极大提升了工作效率。

著录项

  • 公开/公告号CN102998607A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;

    申请/专利号CN201210496858.2

  • 发明设计人 郭奥;

    申请日2012-11-29

  • 分类号

  • 代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴世华

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

  • 入库时间 2024-02-19 18:18:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R31/26 申请公布日:20130327 申请日:20121129

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20121129

    实质审查的生效

  • 2013-03-27

    公开

    公开

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