法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20130410 申请日:20120131
发明专利申请公布后的驳回
2014-02-12
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/762 变更前: 变更后: 登记生效日:20140114 申请日:20120131
专利申请权、专利权的转移
2013-05-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20120131
实质审查的生效
2013-04-10
公开
公开
机译: 互补MOS图像传感器,例如该便携式照相机具有布置在电极侧面的轻度和重度掺杂杂质区,以及具有例如p型杂质离子的p型第三杂质区。沟槽区域中的硼离子
机译: 用于制造晶体管和n型oppervlaktedeel的方法,由第一和第二部分的第一束硼化硼与第二部分中的一束硼化硼形成第二半硼化硼的ap型基础,并植入到oppervlaktedeel和其中基极类型为发射极基元的是gewerkwijze,用于制造晶体管,n型基极是由第一束硼化物形成的半geleideriderlichaam ap型基基。
机译: 用于制造p型氮化镓化合物半导体的方法,用于激活包含在氮化镓化合物半导体中的p型杂质的方法以及用于激活包含在氮化镓化合物半导体中的p型杂质的设备