P型砷化镓中补偿程度对杂质能带的影响

摘要

自洪朝生在1950年首次提出半导体中的杂质能带的概念以来,各国在这方面已经进行了许多理论和实验的研究。最近为了解释掺硅的GaAs与掺锌的GaAs在发光特性上的巨大差别(表1)而进一步发展了这一概念。