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一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法

摘要

本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法,包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底,采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜,采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的非对称透光阻变电容。本发明的优点是:(1)薄膜的组分控制精确,而且易于调整(掺杂)组分,能够大面积制膜,成本低;(2)采用多次旋涂,分层预热的工艺方案,可提高结晶度,减少薄膜内应力,提高薄膜的性能,特别是具有较高的高/低电阻比值和较低的设置电压及复位电压;(3)所制备的薄膜为非对称结构电容,可大大提高电致阻变薄膜的抗疲劳特性,并可应用于透明电子领域。

著录项

  • 公开/公告号CN103014686A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN201210518916.7

  • 申请日2012-12-06

  • 分类号C23C20/08;H01G9/20;

  • 代理机构桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司;

  • 代理人杨雪梅

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号

  • 入库时间 2024-02-19 18:03:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C20/08 申请公布日:20130403 申请日:20121206

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C20/08 申请日:20121206

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

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