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高兴森; 张飞; 林远彬; 芦增星;
华南师范大学华南先进光电子研究院;
阻变存储器; 非易失性存储; 过渡性金属氧化物; 薄膜;
机译:透明阻性随机存取存储器及其非易失性阻变特性
机译:日本材料研究所-RIKEN成功开发新型IWO金属氧化物薄膜晶体管
机译:TiW势垒层厚度依赖性过渡从基于ZrO_2的电阻切换随机存取存储器件中的电化学金属化存储过渡到价变化存储的影响
机译:原子力显微镜在过渡金属氧化物薄膜中数据存储区的存储保持特性
机译:4族和第一行过渡金属的酰胺酸盐,碳酰肼和酰胺氮杂酸盐配合物的合成和表征,作为金属和金属氧化物薄膜原子层沉积的潜在前体
机译:Ge2Sb2Te5相变存储材料中的压力诱导可逆非晶化和非晶-非晶过渡
机译:过渡金属氧化物薄膜用于非易失性电阻随机存取存储器应用
机译:存储器开关基于金属氧化物薄膜
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
机译:输入过渡桥式逆变器和输出变阻桥解调器将直流电压直接转换成所需形式的单相交流电压的方法
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