物材研-理研、新型IWO金属酸化膜トランジスタの開発に成功

摘要

物質·材料研究機構と理化学研究所は、従来にない原子材料構成による金属酸化膜トランジスタの共同開発に成功した。酸化インジウムに、酸化タングステンを極微量添加するだけで、薄膜トランジスタとして動作するIWO薄膜を開発した。この材料には、アモルファス状態で制御が難しい元素であるガリウムや亜鉛を含まない。また、基板加熟などなしに低エネルギーでス′ヾッタ成膜するだけで、均質なアモルファス膜を作ることができることから、薄膜化が容易であり、従来よりも薄い膜厚10nmで保護膜なしの構造であっても、高い特性を有するトランジスタとして動作することが特徴。このため、原料単価の高いガリウムを省けるだけでなく、薄膜原料量も減らせることから材料コストを低減する効果もあり。製造効率も向上する。フラットパネルの生産は国内では衰退の一方であるが、製造のためのスパッタ材料や関連装置は日本が中心であり、継続的に新技術の開発が必要とされている。フラットパネル全体では年間10兆円の産業と試算されており、新技術開発にて更なる発展に貢献することが見込まれる。