氧化接合的晶圆堆叠中的管芯封装

摘要

制造半导体晶圆组件(100)的结构和方法，其将至少一个管芯(108,202,402)封装在刻蚀到氧化接合的半导体晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408)中的腔(110,204,404)中。该方法通常包括以下步骤：将管芯(108,202,402)定位在腔(110,204,404)中，将管芯(108,202,402)机械地和电气地安装到晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408)，并且通过以多种方式中的一种方式将盖晶圆(106,210,410)接合到晶圆堆叠(102+104,206+208,406+408)来将管芯(108,202,402)封装在腔(110,204,404)内。应用半导体处理步骤(例如，沉积、退火、化学和机械抛光、刻蚀等)来构造组件并且根据上述实施例连接(例如，凸块接合、线互连、超声波接合、氧化接合等)管芯。腔(110,404)可以被气密密封以封装半导体管芯(108,402)。晶圆组件(100)可以被划片以产生一个或多个半导体芯片，每个半导体芯片包括一个或多个封装的半导体管芯(108,202,402)。热界面(164,170,412)可以被包括在半导体管芯(108,402)和晶圆(102,104,106,406,408,410)中的一个或多个之间。晶圆堆(102+104,406+408)和盖晶圆(106,410)可以被氧化接合在一起。可替选地，晶圆堆叠(206+208)和盖晶圆(210)可以被凸块(214)接合，以便限定提供与腔(204)的热隔离的气隙(224)。晶圆(102,104,106)中的一个可以限定从晶圆组件(100)外部到腔(110)的导管(168)。