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公开/公告号CN110622330A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 德州仪器公司;
申请/专利号CN201880031188.2
发明设计人 J·A·韦斯特;B·L·威廉斯;D·L·拉尔金;田伟东;
申请日2018-04-03
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人林斯凯
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2024-02-19 16:16:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L49/02 申请日:20180403
实质审查的生效
2019-12-27
公开
机译: 高电压开关的击穿电压增加方法,高电压开关的外壳上提供的衬套安装孔的结构以及具有相同设置的高电压开关
机译: 高击穿电压微电子器件隔离结构,具有提高的可靠性
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机译:具有改进的MESA结构的高击穿电压垂直GaN-On-GaN P-I-N二极管的研究
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