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赵毅; 万星拱; 徐向明; 曹刚; 卜皎;
上海华虹NEC电子有限公司;
日本东京大学材料系,日本东京113-8656;
上海集成电路研发中心;
栅氧可靠性; 击穿电压; 击穿电量; 电压扫描; 电流扫描;
机译:采用0.18 / spl mu / m片上系统CMOS技术的多阈值电压和多击穿电压CMOS器件设计点的质子公差
机译:MOSFET测量评估,使用非对称LDD的高击穿电压SOI-CMOS工艺中的水平BJT并联特性。
机译:改进的击穿电压互补MOSFET在0.18μm标准CMOS工艺中,用于开关模式电源(SMPS)应用
机译:使用与SOI-CMOS兼容的增强击穿电压的MESFET进行节能的RF发送器设计。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:高击穿电压半导体芯片,高击穿电压电子设备板及其制造以及高击穿电压半导体器件的评估方法
机译:具有在沟槽中形成的绝缘栅的高击穿电压半导体器件及其制造工艺
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