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量子点光子学

摘要

本文公开的示例涉及量子点(QD)光子学。根据本文公开的一些示例,QD半导体光放大器(SOA)可以包括硅衬底和硅衬底上方的QD层。所述QD层可以包括有源增益区域,以放大从光信号发生器接收的激射模式。所述QD层可以具有增益恢复时间,使得有源增益区域放大所接收的激射模式而没有码型效应。波导可以被包括在硅衬底的上硅层中。所述波导可以包括模式转换器,以促进QD层和波导之间的接收激射模式的光耦合。

著录项

  • 公开/公告号CN110383126A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 慧与发展有限责任合伙企业;

    申请/专利号CN201780087418.2

  • 发明设计人 G·库兹韦尔;梁迪;R·G·博索莱伊;

    申请日2017-02-28

  • 分类号

  • 代理机构北京市汉坤律师事务所;

  • 代理人魏小薇

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2024-02-19 15:48:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/02 申请日:20170228

    实质审查的生效

  • 2019-10-25

    公开

    公开

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