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公开/公告号CN110544625A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-06
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201910677844.2
发明设计人 马晓华;张鹏;孙保全;宓珉翰;
申请日2019-07-25
分类号
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人张捷
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2024-02-19 15:39:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-31
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20190725
实质审查的生效
2019-12-06
公开
机译: 在鳍形场效应晶体管的制造工艺中,在接触形成之前调整金属栅极功函数的方法
机译: 包括用于抑制短沟道效应的装置的半导体器件
机译: 用于制造三角形的方法和设备,特别是用于由栅极电流转换器控制的三角形的方法和设备
机译:适用于ln_(0.17)Al_(0.83)N / GaN HEMT的75 nm T形栅极,具有最小的短沟道效应
机译:带W栅极的短沟道效应抑制小于0.1 / splμ/ m的沟槽栅极MOSFET
机译:使用晶体ZrO_2高K / AI_2O_3缓冲层栅极堆叠抑制FinFET的短沟道效应,以实现低功耗器件应用
机译:通过使用栅极堆叠的高k电介质和功函数变化来增强性能并抑制14nm双栅极FET的短沟道效应
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:双栅极薄膜晶体管悬挂式栅极适用于触觉力传感器
机译:用于高速计算设备的Y形等离子体波导的全光优化和栅极的设计,分析和仿真
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制