碳化硅超结功率半导体器件及用于制造该器件的方法

摘要

功率半导体器件包括具有第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）的半导体晶片（101）。半导体晶片（101）包含具有第一传导性类型的第一半导体层（2）和多个柱状或板状的第一半导体区域（5），所述多个柱状或板状的第一半导体区域在与第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）垂直的垂直方向上在第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）之间的第一半导体层（2）中延伸。第一半导体区域（5）具有不同于第一传导性类型的第二传导性类型。其中，第一半导体层（2）是六方碳化硅的层。第一半导体区域（5）是3C多型碳化硅的区域。