SONOS存储器的形成方法及SONOS存储器

摘要

本发明提供了一种SONOS存储器的形成方法及SONOS存储器，包括：提供半导体基底，所述半导体基底定义有选择管区和存储管区；分别在选择管区和存储管区进行第一离子注入和第二离子注入；在半导体基底上形成ONO叠层，并利用形成所述ONO叠层过程中的热处理来激活所述选择管区和所述存储管区的注入离子。所述SONOS存储器的制作对选择管区和存储管区分别进行离子注入以后，再对注入离子进行激活，可以有效地降低注入离子的跨区扩散，使得选择管区和存储管区的离子分布更加均匀可控，有利于提高最终形成的选择管器件和存储管器件的阈值电压的均一性和稳定性，并提升SONOS存储器的性能。