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晶圆缺陷分析方法与系统、晶圆良率分析方法与系统

摘要

本发明提供了一种晶圆缺陷分析方法与系统、晶圆良率分析方法与系统以及计算机存储介质,根据已有晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷密度,计算获得待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的缺陷数量,并将其与待分析晶圆的每个区域的每种缺陷的致命缺陷率进行计算,以获得待分析晶圆的良率。本发明的技术方案能够快速且准确地对同一工艺技术下的具有不同存储量的待分析晶圆的良率进行预估,不用耗费大量的时间进行新产品的试生产且不需要耗费大量的人力进行新产品的良率统计即可获得新产品的良率情况,节省了时间和人力,进而降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN110456003A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910786418.2

  • 发明设计人 贾洋;奉伟;周伦潮;冯巍;

    申请日2019-08-23

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人曹廷廷

  • 地址 430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2024-02-19 15:16:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/00 申请日:20190823

    实质审查的生效

  • 2019-11-15

    公开

    公开

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