一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法，目的是提供一种采用SiO2/Si衬底，一步合成高覆盖率、尺寸均一的单层WS2薄膜，本发明的技术方案包括以下步骤：将WO3粉末压制成WO3粉末薄片；清洗SiO2/Si衬底；称取硫粉；将清洗后的SiO2/Si衬底放入长方体耐高温玻璃坩埚正中央，再将WO3粉末薄片放置在SiO2/Si衬底正上方；将硫粉和制得的钨源样品放入CVD炉中，进行反应，即制得低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜。本发明在低压低温条件下，一步生成尺寸均一、高覆盖率的、长度为10‑50um的单层WS2薄膜，制备方法简单、反应时间短、人工成本低、产品纯度高，解决了单层WS2薄膜制备领域的技术难题。