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Method for the deposition chemistry in the vapor phase, at low temperature and low pressure of layer (s) of silicon epitaxial (AIS)

机译:硅外延(AIS)层的低温和低压下气相气相沉积化学方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号BR8704621A

    专利类型

  • 公开/公告日1988-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;

    申请/专利号BR19878704621

  • 发明设计人 BERNARD S MEYERSON;

    申请日1987-09-04

  • 分类号C23C16/24;

  • 国家 BR

  • 入库时间 2022-08-22 07:01:21

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