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机译:硅外延(AIS)层的低温和低压下气相气相沉积化学方法
公开/公告号BR8704621A
专利类型
公开/公告日1988-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号BR19878704621
发明设计人 BERNARD S MEYERSON;
申请日1987-09-04
分类号C23C16/24;
国家 BR
入库时间 2022-08-22 07:01:21
机译: 外延硅层的低温低压化学气相沉积的方法和设备
机译: 低温,低压化学气相沉积硅外延硅层的方法和装置