GaN基自支撑衬底的垂直结构HEMT器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基自支撑衬底的垂直结构HEMT器件及制备方法。所述器件包括衬底、外延结构以及源极、栅极、漏极，所述外延结构包括依次在所述衬底正面形成的电流阻挡层、导通通孔、第二半导体层、第一半导体层以及钝化层，所述第一半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极位于所述钝化层上，所述漏极位于所述衬底背面。本发明中电流阻挡层为绝缘层，其栅下对应区域为Si掺杂的n型重掺杂电流导通通孔，且导通通孔的横截面呈倒梯形状，此结构有利于愈合，能够有效缓解空隙区漏电等问题。本发明提供的器件具有高耐压、低漏电等优点。