碳化硅-二氧化硅界面过渡层的光学表征方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅‑二氧化硅界面过渡层的光学表征方法,属于薄膜技术领域。该方法首先在椭偏仪中测量碳化硅‑二氧化硅样品的反射光参数振幅Ψ和相差Δ，然后在椭偏拟合软件中建立了拟合模型，将测量数据与椭偏拟合模型进行拟合，最后得到各层结构的折射率和消光系数，从而来表征碳化硅‑二氧化硅界面过渡层光学性质随界面深度变化的情况。该方法利用椭偏光谱仪及其界面多层结构建模，能够对碳化硅‑二氧化硅界面进行非破坏性、高灵敏度的、随界面深度变化的覆盖整个界面的光学性质表征。