首页> 外国专利> METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT

METHOD FOR PRODUCING SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, SILICA FILM-FITTED SILICON CARBIDE RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT, AND SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT

机译:制备二氧化硅膜状碳化硅原始材料的方法,二氧化硅膜状碳化硅原始材料,制备碳化硅烧结体的方法和碳化硅烧结体

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silica film-fitted silicon carbide raw material capable of obtaining a silicon carbide sintered compact by reducing the occupation ratio of free carbon after sintering, a silica film-fitted silicon carbide raw material, a method for producing a silicon carbide sintered carbide, and a silicon carbide sintered compact.;SOLUTION: Silicon carbide powder Pp in which the occupation ratio of free carbon is 1 wt.% or lower is heat-treated in the range of 750 to 950°C, so that a silica film F is formed on the surface of the powder.;SELECTED DRAWING: Figure 1;COPYRIGHT: (C)2016,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种能够降低烧结后的游离碳的占有率,从而得到碳化硅烧结体的二氧化硅膜贴合碳化硅原料的制造方法。碳化硅烧结碳化物的制造方法及碳化硅烧结体。解决方案:将游离碳的占有率为1重量%以下的碳化硅粉末Pp在750〜950°的范围内进行热处理。 C,在粉末的表面形成一层二氧化硅膜F .;选定的图纸:图1;版权:(C)2016,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2016130198A

    专利类型

  • 公开/公告日2016-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BRIDGESTONE CORP;

    申请/专利号JP20150005050

  • 发明设计人 ODAKA FUMIO;

    申请日2015-01-14

  • 分类号C04B35/626;C04B35/628;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:47:16

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