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公开/公告号CN110088876A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-02
原文格式PDF
申请/专利权人 威科仪器有限公司;
申请/专利号CN201780079025.7
发明设计人 桑迪普·克里希南;迈克尔·昌斯基;权大元;厄尔·马塞洛;
申请日2017-11-20
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人张晓媛
地址 美国纽约州
入库时间 2024-02-19 13:13:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-12
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20190802 申请日:20171120
发明专利申请公布后的视为撤回
2019-08-02
公开
机译: 化学气相沉积系统中表观生长组织的厚度均匀性控制
机译: 等离子体化学气相沉积系统中的自动阀控制系统和用于沉积纳米多层膜的化学气相沉积系统
机译:通过化学气相沉积,通过铜箔基板的纹理和形态控制,显着提高了石墨烯单层的厚度均匀性
机译:通过金属有机化学气相沉积外延生长InGaAs / GaAs纳米棒周期阵列的简便一步法:从现场控制到尺寸控制
机译:H-2 / SiH4化学气相沉积系统中硅薄膜外延生长的晶格动力学蒙特卡洛模拟
机译:偏取向n型(0001)硅面上4H-SiC的同质外延生长和热壁低压化学气相沉积反应器MOS结构
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:错误:“使用ktaxnb1-xo3中间层通过金属化学气相沉积”应用ktaxnb1-xo3中间层的“取向控制的关节3晶体薄膜的外延生长”物理。吧。 78,49(2001)
机译:商业快速热化学气相沉积反应器中外延生长控制与优化的建模与模型简化