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在化学气相沉积系统中对于外延生长结构的厚度均匀性控制

摘要

本文中描述用于改进晶片上的外延生长膜或层的总体厚度控制及径向厚度轮廓的系统及方法。在若干实施例中,使用对径向内部区域及径向外部区域处的厚度的连续原位测量来控制对应前体及/或稀释气体流率。可使用白光反射测量术通过反应器外壳中的视口来进行此类测量。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20190802 申请日:20171120

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2019-08-02

    公开

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