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高爱华; 刘卫国; 周顺;
西安工业学院光电工程学院,西安,710032;
PECVD; 温度控制; 可编程控制器; 触摸屏; 冗余设计;
机译:通过等离子体增强化学气相沉积,用单一前体1,1,1,3,5,7,7,5-二氧化硅氧烷沉积的低k SicoH薄膜沉积。通过等离子体增强化学气相沉积,含有单次前体1,1,1,3,5,7,7,7八甲基-3,5-双(三甲基硅氧基)四硅氧烷
机译:使用镍催化剂的等离子体增强化学气相沉积和热丝等离子体增强化学气相沉积无转移石墨烯的生长
机译:等离子体增强的化学气相沉积和热丝等离子体增强的化学气相沉积转移石墨烯使用镍催化剂
机译:使用TMOS / O / Sub 2 / Su / Su / Sir和等离子体诊断增强氧化硅膜和氮氧化硅膜的化学气相沉积的等离子体增强了化学气相沉积
机译:利用等离子体增强化学气相沉积技术对碳纳米管生长进行等离子体诊断的研究。
机译:等离子体增强化学气相沉积系统合成高c轴ZnO薄膜及其紫外光探测器的应用
机译:电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积技术的GaN / AlGaN Hemts钝化性能分析
机译:使用Inline mW RpECVD(microWave远程等离子体增强化学气相沉积)系统进行连续siN(sub x)等离子体处理
机译:等离子体增强化学气相沉积系统及等离子体增强化学气相沉积膜沉积方法
机译:等离子体增强化学气相沉积装置和等离子体增强化学气相沉积方法
机译:等离子体增强化学气相沉积装置,等离子体增强化学气相沉积室和气体分配喷头组件
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