一种孔隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜及其快速制备方法

摘要

本发明提供一种孔隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按4:3的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的刻蚀速率下快速制备出适合MEMS器件应用的空隙率较高的中阻P型多孔硅薄膜，且所制备的多孔硅薄膜形貌规则，结构均匀。