利用等离子增强化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明属于石墨烯制备领域，具体的，涉及一种利用等离子增强化学气相沉积法直接在绝缘衬底材料上制备石墨烯薄膜的方法。本发明通过向含碳气体中混入较多量的氢气和惰性气体，并将反应装置内的反应时气压提高到1–10Torr的压强，使石墨烯的沉积速率降低。即使在850–1000˚C的生长温度下，石墨烯的沉积速率仅有每小时0.5–5nm的厚度。在较高的生长温度和较低沉积速率的条件下，可以提高绝缘衬底材料上石墨烯薄膜的载流子迁移率，实现了利用PECVD法在绝缘衬底上制备出质量较高的石墨烯薄膜。