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晶圆级晶粒尺寸封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级晶粒尺寸封装结构和一种晶圆级晶粒尺寸封装结构的制造方法,其中,该晶圆级晶粒尺寸封装结构包括多个重分布层线路,经由第一聚合物层的开口连接于硅晶圆,开口贯穿第一聚合物层以供重分布层线路连接于硅晶圆上表面的金属焊垫。多个球金属底层,每一球金属底层经由第二聚合物层的开口连接一重分布层线路,第二聚合物层设置于第一聚合物层上。多个焊锡接点,每一焊锡接点设置于一球金属底层上。一金属电镀层设置于第一聚合物层下,且并未与任一重分布层线路接触。至少一隔绝对象设置于该多个重分布层线路其中的至少二者之间,此隔绝对象可为设置于两邻近重分布层线路间的金属栅栏或气隙。

著录项

  • 公开/公告号CN110085564A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 代罗半导体有限公司;

    申请/专利号CN201811526108.9

  • 申请日2018-12-13

  • 分类号H01L23/488(20060101);H01L23/522(20060101);H01L21/48(20060101);

  • 代理机构11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙皓晨;侯奇慧

  • 地址 英国伦敦圣凯撒琳道塔桥屋

  • 入库时间 2024-02-19 12:40:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-02

    公开

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