一种GaN HEMT器件基板级的微通道-纳米多孔复合结构蒸发器

摘要

一种GaN HEMT器件基板级的微通道‑纳米多孔复合结构蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。在GaN HEMT器件的基板级进行冷却，减少了界面结合材料的使用，大大降低了结温，延长了GaN HEMT器件的使用寿命。本申请由上基板(6)和下基板(5)构成，其中上基板包括纳米多孔区域(2)、流体入口(1)和流体出口(8)，下基板的正面刻饰有微通道区域(4)、进口蓄液槽(3)和出口蓄液槽(9)。上基板(6)和下基板(5)采用键合技术进行封装处理，保证纳米多孔结构区域(2)和微通道区域(4)较好的接触性。本装置利用纳米孔内液体的相变蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、所需工质少、运行压力低等的特点。