通过在发射结构上添置转换结构的光电设备的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于基于GaN制成的光电设备(1)的制造方法，该光电设备包括适于发射第一波长(λ1)的第一光辐射的发射结构(10)，所述方法包括以下步骤：i.实现生长结构(20)，该生长结构包括由至少部分地松弛的Inx2Ga1‑x2N制成的晶种层(23)；ii.实现转换结构(30)，该转换结构包括适于发射第二波长(λ2)的光辐射的发射层(33)和基于InGaN制成的吸收层(34)；iii.将所述转换结构(30)添置到所述发射结构(10)上，以使得吸收层(34)位于发射结构(10)与转换结构的所述发射层(33)之间。