无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件关态电流大，双极效应严重和制备成本高的问题，其包括：SOI衬底(1)、异质栅介质层(5)、金属层(6)和导电层(8)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2)；SOI衬底的上表面设有源区(3)、沟道区(4)和漏区(7)；异质栅介质层和金属层位于沟道区的上侧；源区、沟道区和漏区，均采用非掺杂的本征材料；栅介质层采用异质栅介质，且靠近源区一侧采用高K介质材料，靠近漏区一侧采用低K介质材料；金属层设为功函数不同的上下两层，这两层金属之间用二氧化硅隔离。本发明降低了关态电流，抑制了双极效应，节约了制作成本，可用于大规模集成电路的制作。