硅晶面依赖的纳米结构晶体管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的硅晶面依赖的纳米结构晶体管，该晶体管结构包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在硅衬底上；硅晶面依赖的纳米结构，制作在氧化绝缘层上；源区和漏区的硅电导台面，均制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅晶面依赖的纳米结构的两端并与硅晶面依赖的纳米结构两端连接，该硅晶面依赖的纳米结构和源区、漏区的硅电导台面形成类似工字形结构；氧化物薄层包裹在源区、漏区硅电导台面和硅晶面依赖的纳米结构的表面；栅极导电条，包裹在硅晶面依赖的纳米结构的氧化物薄层上，并垂直于硅晶面依赖的纳米结构。本发明同时公开了一种利用晶面依赖制作纳米结构晶体管的方法。