首页> 中国专利> 栅极电介质保留的栅极切割工艺

栅极电介质保留的栅极切割工艺

摘要

本文公开了用于集成电路器件,具体地,用于鳍式场效应晶体管器件的栅极切割工艺。示例性方法包括接收包括栅极结构的集成电路器件,以及实施栅极切割工艺以将栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构。栅极切割工艺包括选择性地去除栅极结构的部分,从而使得残留的栅极介电层在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸。在一些实施方式中,残留的栅极电介质包括高k介电材料。该方法还包括在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成栅极隔离区域。本发明的实施例还涉及栅极电介质保留的栅极切割工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN109817580A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201811062947.X

  • 发明设计人 古淑瑗;孙志铭;郑振辉;

    申请日2018-09-12

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2024-02-19 10:46:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8234 申请日:20180912

    实质审查的生效

  • 2019-05-28

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号