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SiC单晶生长用坩埚

摘要

一种SiC单晶生长用坩埚,是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚,所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度,所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分,所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分,所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域,所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。

著录项

  • 公开/公告号CN109715868A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN201780057604.1

  • 发明设计人 野口骏介;大矢信之;

    申请日2017-07-31

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人刘航

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2024-02-19 10:37:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/36 申请日:20170731

    实质审查的生效

  • 2019-05-03

    公开

    公开

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