调节单晶硅生长过程中氧含量的方法

摘要

本发明公开了调节单晶硅生长过程中氧含量的方法，该方法包括：当晶棒生长至总长度的50‑70％后，使得坩埚以第一转速和第二转速交替进行旋转。由此通过间隔切换坩埚的转速，可以间歇性地改变坩埚相对硅溶汤的旋转速度或者旋转方向，进而增加硅溶汤与石英坩埚的摩擦，加快石英坩埚中氧溶解到硅溶汤中，从而有效弥补了由于硅熔汤量减少导致的石英坩埚中氧溶解减少的量，有效缩小单晶硅整体长度的氧浓度的范围。