一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜

摘要

本发明公开了一种基于绝缘体上应变硅纳米薄膜，包括以超薄sSOI纳米薄膜为基底材料,开展了悬浮桥型结构纳米薄膜应变调节研究,引入氢氟酸蒸汽腐蚀，应变硅技术对载流子迁移率增强，过对SOI顶层本征硅(不含应变)进行特定的悬浮桥型加工,在不同结构尺寸和不同激光功率下，引入氢氟酸蒸汽腐蚀系统消除表面张力，单轴应变4.48%的悬浮应变硅纳米线。该基于绝缘体上应变硅纳米薄膜因其引入氢氟酸蒸汽腐蚀系统消除表面张力,设计特定桥型结构和基于弹性形变理论,得到了单轴应变4.48%的悬浮应变硅纳米线，有限元软件Comsol Multiphysics模拟仿真悬浮桥型结构的应变分布和应变类型。