一种P型硅衬底异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种P型硅衬底异质结太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理；接着在所述P单晶硅片的上下表面分别形成多个平行排列的对应的第一V形槽和第二V形槽，所述第一V形槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.7‑0.8，所述第二条形沟槽的深度与所述P型单晶硅片的厚度的比值为0.6‑0.7，所述第一V形槽与对应的所述第二V形槽之间单晶硅层的厚度为50‑60微米；在所述P单晶硅片的上表面和下表面各沉积一氧化锆薄层；在所述P型单晶硅片的上下表面依次沉积相应的非晶硅层、透明导电层以及电极。本发明的太阳能电池的结构新颖且光电转换效率优异。