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公开/公告号CN109553092A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 加州理工学院;
申请/专利号CN201811125169.4
发明设计人 徐诚志;叶乃裳;
申请日2018-09-26
分类号C01B32/186(20170101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国;吴启超
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 07:20:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
公开
机译: 通过等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯纳米带的方法和系统
机译: 等离子体增强化学气相沉积法生长石墨烯纳米条的方法和系统
机译:等离子体增强化学气相沉积法制备多层石墨烯的低温生长机理
机译:低温等离子体增强化学气相沉积法在玻璃基板上铜辅助垂直石墨烯纳米片的直接生长
机译:等离子体增强化学气相沉积法在介质上低温临界生长高质量氮掺杂石墨烯
机译:等离子体增强化学气相沉积法生长石墨烯薄膜
机译:等离子体增强化学气相沉积法生长硅锗膜的建模和实验研究。
机译:远程等离子体增强化学气相沉积法生长非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。最终分包合同报告,1989年7月1日 - 1992年12月31日