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一种掩模板、晶圆、晶粒以及等离子刻蚀裂片的方法

摘要

本发明提供了一种掩模板、晶圆、晶粒以及等离子刻蚀裂片的方法,所述掩模板包括多个晶粒图形以及位于相邻的晶粒图形之间的切割道图形,所述切割道图形包括交叉位置图形和非交叉位置图形,所述交叉位置图形位于相邻四个晶粒图形之间,且与相邻的所述非交叉位置图形连接,所述晶粒图形和交叉位置图形为具有缺角的方形,以增加切割道交叉位置的面积,同时还降低了晶粒研磨过程中以及后续封装过程中晶粒之间相互碰撞的作用力,从而降低了晶粒碎裂的风险。

著录项

  • 公开/公告号CN109445245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201811198899.7

  • 发明设计人 高超;

    申请日2018-10-15

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2024-02-19 07:07:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/38 申请日:20181015

    实质审查的生效

  • 2019-03-08

    公开

    公开

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