公开/公告号CN109445245A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201811198899.7
发明设计人 高超;
申请日2018-10-15
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2024-02-19 07:07:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/38 申请日:20181015
实质审查的生效
2019-03-08
公开
公开
机译: 在混合激光划片和等离子刻蚀晶圆划片过程中清洁晶圆的方法
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机译: 使用分束激光刻蚀工艺和等离子刻蚀工艺的混合晶圆切割方法