透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件

摘要

本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件，其中，透明单晶AlN的制备方法包括：在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层，该牺牲层为：导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓冲层；在牺牲层上通过HVPE法生长单晶AlN；以及通过电化学腐蚀或激光剥离将牺牲层去除，或者直接利用热应力使牺牲层实现自分离，得到分离开的PVT法生长的AlN单晶衬底和HVPE法生长的单晶AlN。只需要对较薄的牺牲层进行简单去除，快速有效，同时避免了CMP带来的氧化问题，且PVT法生长的AlN单晶衬底得以保留，实现回收利用，有效降低了透明单晶AlN衬底材料的制作成本。而HVPE法生长的单晶AlN在紫外波段透射率高，更适合于制备紫外发光器件。